海力士今年量産72層堆諜閃存:單顆輕松1TB

智能硬件
2017
01/30
新品味
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如今各類配備對於NAND閃存的容量請求愈來愈高,迫使廠商們不能不連續改革技巧,特別是強化3D堆諜籌劃。SK海力士就盤算在今年量産72層堆諜閃存。

海力士運營72層堆諜閃存:單顆輕松1TB

2015年,SK海力士量産了第二代36層堆諜3D MLC NAND(3D-V2),單晶粒容量128Gb(16GB)。

2016年,SK海力士推出了第三代48層堆諜的3D-V3,閃存典範改成TLC,重點單晶粒容量256Gb(32GB),而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。

2017年,我們將看到SK海力士的第四代3D-V4,驚人的72層堆諜,還是TLC,個中第二季懷抱産的單晶粒容量仍爲256Gb,而第四季度翻番到512Gb(64GB),如許封裝閃存芯片的最高容量將達到8192Gb(1TB)。

更主要的是,這一代閃存的區塊尺寸將從9MB增大到13.5MB,有助于提升性能。

這意味著,著實只需要兩顆芯片,就可以造出2TB容量的單面M.2 SSD,而且成本更低,另外壹方面120/128GB等低容量産物或許會被基礎廢棄。

海力士運營72層堆諜閃存:單顆輕松1TB

THE END
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